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參數(shù)資料
| 型號： | 64F2214TE16 |
| 英文描述： | Microcontroller |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 521/865頁 |
| 文件大小： | 2810K |
| 代理商： | 64F2214TE16 |
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534
15.7.3
Erase Block Register 1 (EBR1)
Bit:
7
6
5
4
3
2
1
0
EB7
EB6
EB5
EB4
EB3
EB2
EB1
EB0
Initial value:
0
R/W:
R/W
EBR1 is an 8-bit register that specifies the flash memory erase area block by block. EBR1 is
initialized to H'00 by a power-on reset, in hardware standby mode and software standby mode,
when a low level is input to the FWE pin, and when a high level is input to the FWE pin and the
SWE1 bit in FLMCR1 is not set. When a bit in EBR1 is set to 1, the corresponding block can be
erased. Other blocks are erase-protected. Only one of the bits of EBR1 and EBR2 combined can
be set. Do not set more than one bit, as this will cause all the bits in both EBR1 and EBR2 to be
automatically cleared to 0. When on-chip flash memory is disabled, a read will return H'00, and
writes are invalid.
The flash memory block configuration is shown in table 15-5.
15.7.4
Erase Block Register 2 (EBR2)
Bit:
7
6
5
4
3
2
1
0
——
EB9
EB8
Initial value:
0
R/W:
R/W
EBR2 is an 8-bit register that specifies the flash memory erase area block by block. EBR2 is
initialized to H'00 by a power-on reset, in hardware standby mode and software standby mode,
when a low level is input to the FWE pin. Bit 0 will be initialized to 0 if bit SWE1 of FLMCR1 is
not set, even though a high level is input to pin FWE. When a bit in EBR2 is set to 1, the
corresponding block can be erased. Other blocks are erase-protected. Only one of the bits of EBR1
and EBR2 combined can be set. Do not set more than one bit, as this will cause all the bits in both
EBR1 and EBR2 to be automatically cleared to 0. Bits 7 to 2 are reserved and must only be written
with 0. When on-chip flash memory is disabled, a read will return H'00, and writes are invalid.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 64F2214TF16 | Microcontroller |
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