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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 64F2214TE16 |
| 英文描述： | Microcontroller |
| 中文描述： | 微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 517/865頁 |
| 文件大?。?/td> | 2810K |
| 代理商： | 64F2214TE16 |
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530
15.7
Register Descriptions
15.7.1
Flash Memory Control Register 1 (FLMCR1)
Bit:
7
6
5
4
3
2
1
0
FWE
SWE1
ESU1
PSU1
EV1
PV1
E1
P1
Initial value:
—*
00
0
R/W:
R
R/W
Note: * Determined by the state of the FWE pin.
FLMCR1 is an 8-bit register used for flash memory operating mode control. Program-verify mode
or erase-verify mode for addresses H'00000 to H'1FFFF is entered by setting SWE1 bit to 1 when
FWE = 1, then setting the PV1 or EV1 bit. Program mode for addresses H'00000 to H'1FFFF is
entered by setting SWE1 bit to 1 when FWE = 1, then setting the PSU1 bit, and finally setting the
P1 bit. Erase mode for addresses H'00000 to H'1FFFF is entered by setting SWE1 bit to 1 when
FWE = 1, then setting the ESU1 bit, and finally setting the E1 bit. FLMCR1 is initialized by a
power-on reset, and in hardware standby mode and software standby mode. Its initial value is H'80
when a high level is input to the FWE pin, and H'00 when a low level is input. When on-chip flash
memory is disabled, a read will return H'00, and writes are invalid.
Writes are enabled only in the following cases: Writes to bit SWE1 of FLMCR1 enabled when
FWE = 1, to bits ESU1, PSU1, EV1, and PV1 when FWE = 1 and SWE1 = 1, to bit E1 when
FWE = 1, SWE1 = 1 and ESU1 = 1, and to bit P1 when FWE = 1, SWE1 = 1, and PSU1 = 1.
Bit 7—Flash Write Enable Bit (FWE): Sets hardware protection against flash memory
programming/erasing.
Bit 7
FWE
Description
0
When a low level is input to the FWE pin (hardware-protected state)
1
When a high level is input to the FWE pin
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PDF描述 |
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