參數(shù)資料
型號(hào)： S1C33T01F0A0100
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 60 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP176
封裝： PLASTIC, QFP-176
文件頁(yè)數(shù)： 128/581頁(yè)
文件大?。?/td> 3883K
代理商： S1C33T01F0A0100
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II CORE BLOCK: BCU (Bus Control Unit)
B-II-4-44
EPSON
S1C33T01 FUNCTION PART
Wait control for 0 to 7 cycles can be accomplished by AxxWT without using the #WAIT pin. However, since the
setting via AxxWT is applied to every two areas, the number of wait cycles may be controlled individually in each
area or more than 7 wait cycles may be set. In such a case, use an external wait request via the #WAIT pin.
Wait requests from the #WAIT pin are ignored when SWAITE = "0".
The contents set here are applied to all areas that are set for SRAM, and are also effective for write cycles in the areas
that are set for burst ROM.
At cold start, SWAITE is set to "0" (disabled). At hot start, SWAITE retains its status before being initialized.
A3EEN: Area 3 emulation (DB) / DRAM timing set-up register (0x48130)
Select area 3 emulation mode.
Write "1": Internal ROM mode
Write "0": Emulation mode
Read: Valid
When "1" is written to A3EEN, internal ROM emulation mode is selected and the external device will be accessed
with the same condition as the internal ROM. When "0" is written, the internal ROM will be used for accessing area
3. This bit functions the same as the EA3MD pin. The bit status and the pin status are logically ORed.
At cold start, A3EEN is set to "1" (internal ROM mode). At hot start, A3EEN retains its status before being
initialized.
CEFUNC1–CEFUNC0: #CE pin function selection (D[A:9]) / DRAM timing set-up register (0x48130)
Change the #CE pin-assigned area.
Table 4.28
#CE Output Assignment
Pin
CEFUNC = "00"
CEFUNC = "01"
CEFUNC = "1x"
#CE4
#CE11
#CE11+#CE12
#CE5
#CE15
#CE15+#CE16
#CE6
#CE7+#CE8
#CE7/#RAS0
#CE13/#RAS2
#CE8/#RAS1
#CE14/#RAS3
#CE9
#CE17
#CE17+#CE18
#CE10EX
#CE9+#CE10EX
(Default: CEFUNC = "00")
The high-order areas that are made available for use by writing "01" to CEFUNC can be larger in size than the default
low-order areas. For example, when using DRAM in default settings, the available space is 4MB in areas 7 and 8.
However, if areas 13 and 14 are used, up to 32MB of DRAM can be used. The same applies to the other areas.
Furthermore, when CEFUNC is set to "10" or "11", four chip enable signal is expanded into two area size.
At cold start, CEFUNC is set to "00". At hot start, CEFUNC retains its status before being initialized.
CRAS: Successive RAS mode (D8) / DRAM timing set-up register (0x48130)
Set the successive RAS mode.
Write "1": Successive RAS mode
Write "0": Normal mode
Read: Valid
In systems using DRAM, the successive RAS mode is entered by writing "1" to CRAS. In this mode, read/write
operations can be performed in page mode even when DRAM accesses do not occur back-to-back.
When using the successive RAS mode, be sure to use #DRD for the read signal and #DWE for the write signal for
low-byte.
When CRAS = "0", random read/write cycles are used for non-successive DRAM accesses.
The contents set here are applied to all of areas 14, 13, 8, and 7 that are set for DRAM.
At cold start, CRAS is set to "0" (normal mode). At hot start, CRAS retains its status before being initialized.
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