參數(shù)資料
型號： S1C38000B0A0100
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 32-BIT, RISC MICROCONTROLLER, BGA239
封裝： CFLGA-239
文件頁數(shù)： 219/281頁
文件大?。?/td> 1309K
代理商： S1C38000B0A0100
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5 D.C. CHARACTERISTICS
28
EPSON
S1C38000 TECHNICAL MANUAL
5 D.C. Characteristics
Note: LVDD/APAVDD/APBVDD voltage must be lower than HVDD.
Table 5-1 Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Rating
Units
LVDD
Supply Voltage
VSS - 0.3 to 3.0
V
HVDD
Supply Voltage
VSS - 0.3 to 4.0
V
APAVDD
Supply Voltage
VSS - 0.3 to 3.0
V
APBVDD
Supply Voltage
VSS - 0.3 to 3.0
V
VIN
Input Voltage
VSS - 0.3 to HVDD + 0.5
V
VOUT
Output Voltage
VSS - 0.3 to HVDD + 0.5
V
TSTG
Storage Temperature
-65 to 150
°C
TSOL
Solder Temperature/Time
260 for 10 sec. max at lead
°C
Table 5-2 Recommended Operating Conditions
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
LVDD
Supply Voltage
VSS = 0V
2.3
2.5
2.7
V
HVDD
Supply Voltage
VSS = 0V
3.0
3.3
3.6
V
APAVDD
Supply Voltage
VSS = 0V
2.3
2.5
2.7
V
APBVDD
Supply Voltage
VSS = 0V
2.3
2.5
2.7
V
VIN
Input Voltage
VSS
HVDD
V
VSS
LVDD
V
TOPR
Operating Temperature
-40
25
85
°C
Table 5-3 Electrical Characteristics for HVDD = 3.3V
Symbol
Parameter
Condition
Min
Typ
Max
Units
ILI
Input Leakage Current
-5
5
A
IOZ
Output Leakage Current
-5
5
A
VOH
High Level Output Voltage
HVDD = min
IOH = -3mA (Type 1)
-6mA (Type 2)
HVDD
- 0.4
V
VOL
Low Level Output Voltage
HVDD = min
IOL = 3mA (Type 1)
6mA (Type 2)
0.4
V
VIH
High Level Input Voltage
CMOS Level,
VDD = max
2.2
V
VIL
Low Level Input Voltage
CMOS Level,
VDD = min
0.8
V
VT+
High Level Input Voltage
CMOS Schmitt
1.4
2.7
V
VT-
Low Level Input Voltage
CMOS Schmitt
0.6
1.8
V
VH1
Hysteresis Voltage
CMOS Schmitt
0.3
V
RPD
Pull Down Resistance
VIN = HVDD
30
60
120
k
RPU
Pull Up Resistance
VIN = VSS
30
60
120
k
CI
Input Pin Capacitance
f = 1MHz, HVDD = 0V
8
pF
CO
Output Pin Capacitance
f = 1MHz, HVDD = 0V
10
pF
CIO
Bi-Directional Pin Capacitance
f = 1MHz, HVDD = 0V
10
pF
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