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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 88/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
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Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Data Book
88
2.00
Glossary of Terms
ACT
activate
adjacent
ASYM
ATTN
ATTNR
ATTNW
AV
bank
BC
BBIT
broadcast
BR
bubble
BYT
BX
C
CAL
CBIT
CCA
CCB
CFM,CFMN
Channel
CLRR
CMD
CNFGA
CNFGB
COL
COL
COLC
COLM
column
Activate command from AV field.
To access a row and place in sense amp.
Two RDRAM banks which share sense amps (also called doubled banks).
CCA register field for RSL
V
OL
/
V
OH
.
Power state - ready for ROW/COL packets.
Power state - transmitting Q packets.
Power state - receiving D packets.
Opcode field in ROW packets.
A block of 2
RBIT
×
2
CBIT
storage cells in the core of the RDRAM.
Bank address field in COLC packet.
CNFGA register field - # bank address bits.
An operation executed by all RDRAMs.
Bank address field in ROW packets.
Idle cycle(s) on RDRAM pins needed because of a resource constraint.
CNFGB register field - 8/9 bits per byte.
Bank address field in COLX packet.
Column address field in COLC packet.
Calibrate (
I
OL
) command in XOP field.
CNFGB register field - # column address bits.
Control register - current control A.
Control register - current control B.
Clock pins for receiving packets.
ROW/COL/DQ pins and external wires.
Clear reset command from SOP field.
CMOS pin for initialization/power control.
Control register with configuration fields.
Control register with configuration fields.
Pins for column-access control.
COLC,COLM,COLX packet on COL pins.
Column operation packet on COL pins.
Write mask packet on COL pins.
Rows in a bank or activated row in sense amps have 2
CBIT
dualocts column
storage.
A decoded bit-combination from a field.
Extended operation packet on COL pins.
command
COLX
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