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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 3/93頁 |
| 文件大小： | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
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Data Book
3
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Pinouts and Definitions
This tables show the pin assignments of the RDRAM package from the top-side of the package (the
view looking down on the package as it is mounted on the circuit board). The mechanical
dimensions of this package are shown in a later section. Refer to Section “Center-Bonded FBGA
Package” on page 86. Note - pin #1 is at the A1 position. DQA8/DQB8 are used for 144 Mbit only.
They are N.C. for 128Mbit.
Table 2
Normal Package (top view)
Table 3
Mirrored Package (top view)
12
GND
–
DQA7
–
–
DQA4
V
DD
DQA5
–
–
DQA6
VDD
–
CFM
–
–
CFMN
–
–
RQ5
V
DD
RQ6
–
–
RQ7
–
–
RQ3
V
DD
–
DQB0
V
DD
DQB1
–
–
DQB2
–
–
DQB4
V
DD
DQB5
–
–
DQB6
GND
–
DQB7
11
10
9
GND
GND
GNDa
V
DDa
–
–
V
REF
GND
GND
GND
8
CMD
–
–
SCK
V
CMOS
DQA8
–
GND
DQA2
–
–
DQA1
V
DD
DQA0
–
V
DD
C
RQ2
–
–
RQ1
V
DD
RQ4
–
–
F
SIO1
–
–
SIO0
V
CMOS
DQB8
–
GND
7
6
5
4
GND
GND
GND
GND
3
DQA3
–
–
B
CTMN
–
–
D
CTM
–
–
E
RQ0
–
V
DD
G
DQB3
–
–
H
2
1
A
J
12
GND
–
DQA8
V
CMOS
SCK
–
–
CMD
–
–
DQA3
VDD
–
DQA0
V
DD
DQA1
–
–
DQA2
–
–
CTMN
–
–
CTM
–
–
RQ4
V
DD
RQ1
–
–
RQ2
V
DD
–
RQ0
–
–
DQB3
GND
–
DQB8
V
CMOS
SIO0
–
–
SIO1
11
10
9
GND
GND
V
REF
–
–
V
DDa
GNDa
GND
GND
GND
8
DQA6
–
–
DQA5
V
DD
DQA4
–
–
B
RQ7
–
–
RQ6
V
DD
RQ5
–
–
E
DQB2
–
–
DQB1
V
DD
DQB0
–
V
DD
G
DQB6
–
–
DQB5
V
DD
DQB4
–
–
H
7
6
5
4
GND
GND
GND
GND
3
DQA7
–
GND
CFM
–
V
DD
C
CFMN
–
–
D
RQ3
–
–
F
DQB7
–
GND
2
1
A
J
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