- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370785 > HYB25M128160C (SIEMENS AG) 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 69/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁當前第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
Data Book
69
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Table 20
Timing Conditions
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Figure
min.
max.
CTM and CFM cycle times (-600)
CTM and CFM cycle times (-711)
CTM and CFM cycle times (-800)
t
CYCLE
3.33
2.80
2.50
3.83
3.83
3.83
ns
ns
ns
Figure 53
Figure 53
Figure 53
CTM and CFM input rise and fall times
t
CR
,
t
CF
t
CH
,
t
CL
t
TR
0.2
0.5
ns
t
CYCLE
t
CYCLE
Figure 53
CTM and CFM high and low times
40%
60%
Figure 53
CTM-CFM differential (MSE/MS = 0/0)
CTM-CFM differential (MSE/MS = 1/1)
1)
0.0
0.9
1.0
1.0
Figure 42
Figure 53
Domain crossing window
DQA/DQB/ROW/COL input rise/fall times
t
DR
,
t
DF
DQA/DQB/ROW/COL-to-CFM set/hold @
t
CYCLE
= 3.33 ns
DQA/DQB/ROW/COL-to-CFM set/hold @
t
CYCLE
= 2.81 ns
DQA/DQB/ROW/COL-to-CFM set/hold @
t
CYCLE
= 2.50 ns
SIO0, SIO1 input rise and fall times
t
DCW
– 0.1
0.1
t
CYCLE
ns
Figure 59
0.2
0.275
2),d
0.240
3),4)
0.200
d
0.65
Figure 54
t
S
,
t
H
–
–
–
ns
ns
ns
Figure 54
Figure 54
Figure 54
t
DR1,
t
DF1
t
DR2,
t
DF2
t
CYCLE1
–
5.0
ns
Figure 56
CMD, SCK input rise and fall times
–
2.0
ns
Figure 56
SCK cycle time - Serial control register
transactions
1000
–
ns
Figure 56
SCK cycle time - Power transitions
10
–
ns
Figure 56
SCK high and low times
t
CH1
,
t
CL1
t
S1
4.25
–
ns
Figure 56
CMD setup time to SCK rising or falling
edge
5)
1.25
–
ns
Figure 56
CMD hold time to SCK rising or falling
edge
c
t
H1
1
–
ns
Figure 56
SIO0 setup time to SCK falling edge
t
S2
t
H2
t
S3
40
–
ns
Figure 56
SIO0 hold time to SCK falling edge
40
–
ns
Figure 56
PDEV setup time on DQA5 … 0 to SCK
rising edge.
0
–
ns
Figure 48
,
Figure 57
PDEV hold time on DQA5 … 0 to SCK
rising edge.
ROW2 … 0, COL4 … 0 setup time for
quiet window
t
H3
5.5
–
ns
t
S4
– 1
–
t
CYCLE
Figure 48
ROW2 … 0, COL4 … 0 hold time for quiet
window
6)
t
H4
5
–
t
CYCLE
Figure 48
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| HYB 25M144180C | 144-MBit Direct RDRAM(144 M位直接RDRAM) |
| HYB25R144180C | 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) |
| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。