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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 83/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
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Data Book
83
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
I
DD
- Supply Current Profile
Table 25
RDRAM Blocks Consuming Power
1)
Supply Current Profile
1)
The CMOS interface consumes power in all power states.
x16/x18 RDRAM data width.
This does not include the
I
OL
sink current. The RDRAM dissipates
I
OL
×
V
OL
in each output driver when a logic
one is driven.
I
DD
Value
Limit Values
Unit
max.
-800
max.
-711
max.
-600
Self-refresh only for INIT.LSR = 0
I
DD,PDN
I
DD,NAP
I
DD,STBY
I
DD,ATTN
I
DD,ATTN-W
3000
3000
3000
μ
A
mA
T/RCLK-Nap
4
4
4
T/RCLK, ROW-demux
100
95
90
mA
T/RCLK, ROW-demux, COL-demux
150
575/635
2)
145
140
450/495
2)
mA
T/RCLK, ROW-demux, COL-demux, DQ-
demux,
1
×
WR-SenseAmp, 4
×
ACT-Bank
T/RCLK, ROW-demux, COL-demux, DQ-
mux,
1
×
RD-SenseAmp, 4
×
ACT-Bank
3)
515/570
2)
mA
3)
I
DD,ATTN-R
520/575
2)
470/520
410/450
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| HYB 25M144180C | 144-MBit Direct RDRAM(144 M位直接RDRAM) |
| HYB25R144180C | 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) |
| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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