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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 82/93頁 |
| 文件大小： | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
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Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Data Book
82
2.00
Table 24
t
RDP
Interval from last COLC packet with RD
command to ROWR packet with PRER.
4
4
4
4
–
t
CYCLE
Figure 15
t
RTP
Interval from last COLC packet with
automatic retire command to ROWR
packet with PRER.
4
4
4
4
–
t
CYCLE
Figure 16
1)
Or equivalent PREC or PREX command. See
Figure 14
.
This is a constraint imposed by the core, and is therefore in units of
μ
s rather than
t
CYCLE
.
2)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
V
DD
+ 0.3
Voltage applied to any RSL or CMOS pin
with respect to GND
Voltage on
V
DD
and
V
DDA
with respect to
GND
V
I,ABS
– 0.3
V
V
DD,ABS
,
V
DDA,ABS
T
STORE
– 0.5
V
DD
+ 1.0
V
Storage temperature
– 50
100
°
C
Table 23
Timing Parameter Summary
(cont’d)
Parameter Description
Min
-40
-800
Min
-45
-800
Min
-45
-711
Min
-53
-600
Max
Unit
Figure
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| HYB 25M144180C | 144-MBit Direct RDRAM(144 M位直接RDRAM) |
| HYB25R144180C | 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) |
| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
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