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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
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Data Book
35
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
a WR command issued to one device automatically retires the write buffers of all other devices
written a time
t
RTR
before or earlier.
Figure 19
Retire Held Off by Reads to Same Device, Write Buffer Retired to New Row
CWD
t
CAC
t
a0 = {Da, Ba, Ra}
b1 = {Da, Bb, Cb1}
b4 = {Da, Bb, Cb4}
c0 = {Da, Ba, Rc}
DQA8...0
DQB8...0
Transaction a: WR
Transaction b: RD
Transaction c: WR
b5 = {Da, Bb, Cb5}
b2 = {Da, Bb, Cb2}
a1 = {Da, Ba, Ca1}
D (a1)
This sequence is hazardous
and must be used
Q (b2)
b6 = {Da, Bb, Cb6}
b3 = {Da, Bb, Cb3}
Q (b1)
a2 = {Da, Ba}
with caution
WARNING
Q (b3)
Q (b4)
SPT04223
Q (b5)
T24
ACT a0
ROW2...
ROW0
COL4...COL0
CTM/CFM
T2
T0
T1
T3
T4
t
WR a1
RD b1
RD b2
RAS
t
RC
T14
T7
T5
T6
T8
T9
T10 T11
T13
T12
T19
T15 T16
T18
T17
T20 T21
T23
T22
MSK (a1)
retire (a1)
write data in the new row
The retire operation puts the
ACT c0
RD b5
RTR
t
RCD
t
RD b3
RD b4
PRER a2
RP
t
RD b6
T34
T29
T25 T26 T27 T28
T30 T31 T32 T33
T39
T36
T35
T37 T38
T41
T40
T42 T43
T46
T45
T44
T47
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