- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370785 > HYB25M128160C (SIEMENS AG) 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 72/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁當前第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Data Book
72
2.00
RSL - Clocking
Figure 53
is a timing diagram which shows the detailed requirements for the RSL clock signals on
the Channel.
The CTM and CTMN are differential clock inputs used for transmitting information on the DQA and
DQB, outputs. Most timing is measured relative to the points where they cross. The
t
CYCLE
parameter is measured from the falling CTM edge to the falling CTM edge. The
t
CL
and
t
CH
parameters are measured from falling to rising and rising to falling edges of CTM. The
t
CR
and
t
CF
rise- and fall-time parameters are measured at the 20% and 80% points.
t
AS
t
SA
t
ASN
t
ASP
ATTN-to-STBY power state delay
–
1
t
CYCLE
t
CYCLE
t
CYCLE
t
CYCLE
Figure 46
STBY-to-ATTN power state delay
–
0
Figure 46
ATTN/STBY-to-NAP power state delay
–
8
Figure 47
ATTN/STBY-to-PDN power state delay
–
8
Figure 47
1)
This parameter also applies to a -800 or -711 part when operated with
t
CYCLE
= 3.33 ns.
This parameter also applies to a -800 part when operated with
t
CYCLE
= 2.81 ns.
3)
t
and
t
Q,MAX
for other
t
CYCLE
values can be interpolated between or extrapolated from the timings at the
3 specified t
CYCLE
values.
2)
Table 22
Timing Characteristics
(cont’d)
Parameter Symbol
Limit Values
Unit
Figure
min.
max.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25R128160C | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| HYB 25M144180C | 144-MBit Direct RDRAM(144 M位直接RDRAM) |
| HYB25R144180C | 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) |
| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。