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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25M128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128兆直接的RDRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 51/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25M128160C |
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Data Book
51
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Figure 30
TEST Register
Figure 31
DEVID Register
11
0
14
0
0
15
0
0
13 12
Address: 022
16
Control Register: TEST34
0
0
10 9
0
0
0
7
8
6
3
0
0
0
5
4
0
0
2
1
0
0
Read/write registers.
Reset value of TEST34 is zero ( from SIO Reset).
This register are used for testing purposes. It must
not be read or written after SIO Reset.
SPD04276
11
0
14
0
0
15
0
0
13 12
Address: 040
16
Control Register: DEVID
0
0
10 9
0
0
0
7
8
6
3
0
5
4
DEVID4...DEVID0
2
1
0
Read/write register.
Reset value is undefined.
Device Identification register.
DEVID4..DEVID0 is compared to DR4..DR0,
DC4..DC0, and DX4..DX0 fields for all memory
read or write transactions. This determines which
RDRAM is selected for the memory read or write
transaction.
SPD04277
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