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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 64/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
DC and AC parameters
Figure 43.
Resistor value versus waveform timings for ready/busy signal
1.
T = 25 °C.
12.2
Data protection
The Numonyx NAND devices are designed to guarantee data protection during power
transitions.
A VDD detection circuit disables all NAND operations, if VDD is below the VLKO threshold.
In the VDD range from VLKO to the lower limit of nominal range, the WP pin should be kept
low (VIL) to guarantee hardware protection during power transitions as shown in the below
figure.
Figure 44.
Data protection
ai13640b
tr
tf
ibusy
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
1.7
0.85
0.57
0.43
30
60
90
120
1.7
0
400
4
VDD = 1.8 V, CL = 30 pF
t r
,t
f
(ns)
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 3.3 V, CL = 100 pF
t r
,t
f
(ns)
Ai11086
VLKO
VDD
W
Nominal Range
Locked
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