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參數資料
| 型號： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件頁數： | 37/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁
Device operations
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Table 21.
Parameter page data structure
Byte
O/M(1)
Description
Re
vi
si
on
in
fo
rmatio
n
an
d
f
eatures
b
loc
k
0-3
M
Parameter page signature
– Byte 0: 4Fh, ‘O’
– Byte 1: 4Eh, ‘N’
– Byte 2: 46h, ‘F’
– Byte 3: 49h, ‘I’
4-5
M
Revision number
Bit 2 to bit 15
Reserved (0)
Bit 1
1 = supports ONFI version 1.0
Bit 0
Reserved (0)
6-7
M
Features supported
Bit 5 to bit 15
Reserved (0)
Bit 4
1 = supports odd to even page copy back
Bit 3
1 = supports interleaved operations
Bit 2
1 = supports non-sequential page programming
Bit 1
1 = supports multiple LUN operations
Bit 0
1 = supports 16-bit data bus width
8-9
M
Optional commands supported
Bit 6 to bit 15
Reserved (0)
Bit 5
1 = supports Read Unique ID
Bit 4
1 = supports Copy back
Bit 3
1 = supports Read Status Enhanced
Bit 2
1 = supports Get Features and Set Features
Bit 1
1 = supports Read Cache commands
Bit 0
1 = supports Page Cache Program command
10-31
Reserved (0)
M
a
n
u
fa
ctu
rer
in
fo
rm
atio
n
b
loc
k
32-43
M
Device manufacturer (12 ASCII characters)
44-63
M
Device model (20 ASCII characters)
64
M
JEDEC manufacturer ID
65-66
O
Date code
67-79
Reserved (0)
80-83
M
Number of data bytes per page
84-85
M
Number of spare bytes per page
86-89
M
Number of data bytes per partial page
90-91
M
Number of spare bytes per partial page
92-95
M
Number of pages per block
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3C2AE01 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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