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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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Program and erase times and endurance cycles
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
10
Program and erase times and endurance cycles
The program and erase times and the number of program/erase cycles per block are shown
in Table 24.
Table 24.
Program erase times and program erase endurance cycles
Parameters
NAND flash
Unit
Min
Typ
Max
Page program time
200
700
s
Multiplane program time
3.0 V
200
700
s
1.8 V
250
800
s
Block erase time
1.5
2
ms
Multiplane block erase time
3.0 V
1.5
2
ms
1.8 V
2
2.5
ms
Multiplane program busy time (tIPBSY)0.5
1
s
Multiplane erase busy time (tIEBSY)0.5
1
s
Cache read busy time (tRCBSY)
3
tR
s
Program/erase cycles per block (with ECC)
100,000
cycles
Data retention
10
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
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