參數(shù)資料
型號： NAND08GW3B2CZL1F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
封裝： 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52
文件頁數(shù)： 63/72頁
文件大?。?/td> 1919K
代理商： NAND08GW3B2CZL1F
DC and AC parameters
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
12.1
Ready/busy signal electrical characteristics
Figure 42, Figure 41 and Figure 43 show the electrical characteristics for the ready/busy
signal. The value required for the resistor RP can be calculated using the following equation:
This is an example for 3 V devices:
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the ready/busy signal. RP
max is determined by the maximum value of tr.
Figure 41.
Ready/busy AC waveform
Figure 42.
Ready/busy load circuit
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
-------------------------------------------------------------
=
R
P
min
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
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PDF描述
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