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參數(shù)資料
| 型號： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件頁數(shù)： | 33/72頁 |
| 文件大小： | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Device operations
6.14
Read electronic signature
The devices contain a manufacturer code and device code. The following three steps are
required to read these codes:
1.
One bus write cycle to issue the Read Electronic Signature command (90h)
2.
One bus write cycle to input the address (00h)
3.
Five bus read cycles to sequentially output the data (as shown in Table 16: Electronic
The device remains in this state until a new command is issued.
Table 16.
Electronic signature
Root part number
Byte 1
Byte 2
Byte 3
(see Table 17)
Byte 4
(see Table 18)
Byte 5
(see Table 19)
NAND04GR3B2D
NAND08GR3B4C(1)
20h
ACh
10h
15h
54h
NAND04GW3B2D
NAND08GW3B4C(1)
20h
DCh
10h
95h
54h
NAND04GR4B2D
0020h
BCh
10h
55h
54h
NAND04GW4B2D
0020h
CCh
10h
D5h
54h
NAND08GR3B2C
20h
A3h
51h
15h
58h
NAND08GW3B2C
20h
D3h
51h
95h
58h
NAND08GR4B2C
0020h
B3h
51h
55h
58h
NAND08GW4B2C
0020h
C3h
51h
D5h
58h
1.
For NAND08G-B4C devices, each 4-Gbit die returns its own electronic signature.
Table 17.
Electronic signature byte 3
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Internal chip number
0 0
0 1
1 0
1 1
1
2
4
8
I/O3-I/O2
Cell type
0 0
0 1
1 0
1 1
2-level cell
4-level cell
8-level cell
16-level cell
I/O5-I/O4
Number of simultaneously
programmed pages
0 0
0 1
1 0
1 1
1
2
4
8
I/O6
Interleaved programming
between multiple devices
0
1
Not supported
Supported
I/O7
Cache program
0
1
Not supported
Supported
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3C2AE01 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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