參數(shù)資料
型號： NAND08GW3B2CZL1F
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
封裝： 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52
文件頁數(shù)： 44/72頁
文件大?。?/td> 1919K
代理商： NAND08GW3B2CZL1F
NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Software algorithms
9.5
Error correction code
The user must implement an error correction code (ECC) to identify and correct errors in the
data stored in the NAND flash memories. For every 2048 bits in the device, the
implementation of 22 bits of ECC (16 bits for line parity plus 6 bits for column parity) is
required.
Figure 23.
Error detection
New ECC generated
during read
XOR previous ECC
with new ECC
All results
= zero?
22 bit data = 0
YES
11 bit data = 1
NO
1 bit data = 1
Correctable
Error
ECC Error
No Error
ai08332
>1 bit
= zero?
YES
NO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND256R4A0DN6T 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
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NAND08GW3C2AE01 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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