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參數(shù)資料
| 型號： | NAND08GW3B2CZL1F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LGA-52 |
| 文件頁數(shù)： | 38/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 1919K |
| 代理商： | NAND08GW3B2CZL1F |
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NAND04G-B2D, NAND08G-BxC
Device operations
Me
mor
y
o
rga
ni
zatio
n
b
loc
k
96-99
M
Number of blocks per logical unit (LUN)
100
M
Number of logical units (LUNs)
101
M
Number of address cycles
Bit 4 to bit 7
Column address cycles
Bit 0 to bit 3
Row address cycles
102
M
Number of bits per cell
103-104
M
Bad blocks maximum per LUN
105-106
M
Block endurance
107
M
Guaranteed valid blocks at beginning of target
108-109
M
Block endurance for guaranteed valid blocks
110
M
Number of programs per page
111
M
Partial programming attributes
Bit 5 to bit 7
Reserved
4
1 = partial page layout is partial page data followed by
partial page spare
Bit 1 to bit 3
Reserved
0
1 = partial page programming has constraints
112
M
Number of bits ECC correctability
113
M
Number of interleaved address bits
Bit 4 to bit 7
Reserved (0)
Bit 0 to bit 3
Number of interleaved address bits
114
O
Interleaved operation attributes
Bit 4 to bit 7
Reserved (0)
Bit 3
Address restrictions for program cache
Bit 2
1 = program cache supported
Bit 1
1 = no block address restrictions
Bit 0
Overlapped/concurrent interleaving support
115-127
Reserved (0)
128
M
I/O pin capacitance
Table 21.
Parameter page data structure (continued)
Byte
O/M(1)
Description
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W3A2BV6E | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND08GW3B4BN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4BN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND08GW3B4CN1F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3B4CZL6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND08GW3C2AE01 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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