參數(shù)資料
型號： NAND512R3A2CV6E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
文件頁數(shù)： 1/56頁
文件大小： 951K
代理商： NAND512R3A2CV6E
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August 2005
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
■
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
–
Up to 1 Gbit memory array
–
Up to 32 Mbit spare area
–
Cost effective solutions for mass storage
applications
■
NAND INTERFACE
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
–
Pinout compatibility for all densities
■
SUPPLY VOLTAGE
–
1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V
–
3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V
■
PAGE SIZE
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
■
BLOCK SIZE
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
■
PAGE READ / PROGRAM
–
Random access: 12s (3V)/15us (1.8V)
(max)
–
Sequential access: 50ns (min)
–
Page program time: 200s (typ)
■
COPY BACK PROGRAM MODE
–
Fast page copy without external buffering
■
FAST BLOCK ERASE
–
Block erase time: 2ms (Typ)
■
STATUS REGISTER
■
ELECTRONIC SIGNATURE
■
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’
–
Simple interface with microcontroller
■
SERIAL NUMBER OPTION
Figure 1. Packages
■
HARDWARE DATA PROTECTION
–
Program/Erase locked during Power
transitions
■
DATA INTEGRITY
–
100,000 Program/Erase cycles
–
10 years Data Retention
■
RoHS COMPLIANCE
–
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
■
DEVELOPMENT TOOLS
–
Error Correction Code software and
hardware models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
File System OS Native reference software
–
Hardware simulation models
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
FBGA
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND256R4A0DN6T 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND256R4A2DZA1F 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
NAND256W3A1BZA1E 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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