參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 91/96頁
文件大小： 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Reference Loads, Setup & Hold Timing Definition and Slew Rate Derating
Data Sheet
91
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
8.4
Overshoot and Undershoot Specification
Figure 74
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Address and Control Pins
Table 43
Data Setup (
t
DS
) and Hold Time (
t
DH
) Derating Table
1)2)
1) All units in ps.
2) For all input signals the total
tDS
(setup time) and
t
DH
(hold time) required is calculated by adding the individual datasheet
value to the derating value listed in this table.
D
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
DQS, DQS Differential Slew Rate
4.0 V/ns 3.0 V/ns
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
2.0 V/ns
t
DS
1.8 V/ns
t
DS
1.6 V/ns
t
DS
1.4 V/ns
t
DS
1.2 V/ns
t
DS
1.0 V/ns
t
DS
0.8 V/ns
t
DS
t
DH
t
DH
t
DH
t
DH
t
DH
t
DH
t
DH
125 45
83
0
—
—
—
—
—
—
125 45
83
0
–11 –14 –11 –14 1
—
—
–25 –31 –13 –19 –1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
125 45
83
0
—
95
12
—
33
12
–2
—
—
24
13
—
—
24
10
–7
—
—
—
25
11
—
—
—
22
5
–18 5
—
—
—
—
23
—
—
—
—
17
–6
–35
–77
—
—
—
—
—
17
–7
–50
—
—
—
—
—
6
–23
–65
—
—
—
—
—
—
5
–38
—
—
—
—
—
—
–11
–53
21
0
—
—
—
—
—
—
21
0
21
0
–31 –42 –19 –30 –7
—
—
–43 –49 –31 –47 –19
—
—
—
—
—
—
—
—
–74 –89 –62
—
—
–127 –140 –115 –128 –103 –116
Table 44
Parameter
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above
V
DD
Maximum undershoot area below
V
SS
AC Overshoot / Undershoot Specification for Address and Control Pins
DDR2–400
0.9
0.9
0.75
0.75
DDR2–533
0.9
0.9
0.56
0.56
Units
V
V
V.ns
V.ns
VDD
VSS
Overshoot Area
Undershoot Area
Maximum Amplitude
Maximum Amplitude
Time (ns)
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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