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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512800AC-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| 中文描述： | 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/96頁 |
| 文件大?。?/td> | 2153K |
| 代理商： | HYB18T512800AC-5 |
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T4
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Functional Description
Data Sheet
44
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 32
Write followed by Burst Read Example: RL = 5 (AL = 2, CL = 3), WL = 4,
t
WTR
= 2, BL = 4
The minimum number of clocks from the write command to the read command is (CL - 1) +BL/2 +
t
WTR
, where
t
WTR
is the write-to-read turn-around time
t
WTR
expressed in clock cycles. The
t
WTR
is not a write recovery time (
t
WR
) but
the time required to transfer 4 bit write data from the input buffer into sense amplifiers in the array.
Figure 33
Seamless Write Operation Example 1: RL = 5, WL = 4, BL = 4
The seamless write operation is supported by enabling a write command every BL/2 number of clocks. This
operation is allowed regardless of same or different banks as long as the banks are activated.
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ A
Post CAS
BWBR
CMD
DQ
NOP
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
AL=2
tW TR
CL=3
NOP
NOP
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
W rite to Read = (CL - 1)+ BL/2 +tW TR(2) = 6
DQS,
DQS
W L = RL - 1 = 4
RL=5
CK, CK
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
W RITE A
Post CAS
W L = RL - 1 = 4
W RITE B
Post CAS
DIN B0 DIN B1 DIN B2 DIN B3
T0
T2
T1
T3
T5
T6
T7
T8
CMD
DQ
SBR
DQS,
DQS
CK, CK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AC | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF-37 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB18T512800AF-5 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB25D128160CE-5 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
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| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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