參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 79/96頁(yè)
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
I
DD
Specifications and Conditions
Data Sheet
79
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
6.1
I
DD
Test Conditions
For testing the
I
DD
parameters, the following timing parameters are used:
6.2
On Die Termination (ODT) Current
The ODT function adds additional current consumption
to the DDR2 SDRAM when enabled by the EMRS(1).
Depending on address bits A6 & A2 in the EMRS(1) a
“week” or “strong” termination can be selected. The
current consumption for any terminated input pin,
depends on the input pin is in tri-state or driving “0” or
“1”, as long a ODT is enabled during a given period of
time.
.
Table 39
ODT Current
Enabled ODT current per DQ
added
I
DDQ
current for ODT enabled;
ODT is HIGH; Data Bus inputs are FLOATING
Active ODT current per DQ
added
I
DDQ
current for ODT enabled;
ODT is HIGH; worst case of Data Bus inputs are
STABLE or SWITCHING.
Note:For power consumption calculations the ODT duty cycle has to be taken into account
Table 38
Parameter
IDD Measurement Test Condition
Symbol
-3.7
-5
Units
Notes
DDR2–533 4–4–4 DDR2–400 3–3–3
4
3.75
15
60
CAS Latency
Clock Cycle Time
Active to Read or Write delay
Active to Active / Auto-Refresh command
period
Active bank A to Active bank B command
delay
CL
min
t
CKmin
t
RCDmin
t
RCmin
3
5
15
55
t
CK
ns
ns
ns
t
RRDmin
7.5
10
45
15
105
7.5
10
40
15
105
ns
ns
ns
ns
ns
1)
1)
×
4 &
×
8 (1 kB page size)
2)
×
16 (2 kB page size)
2)
Active to Precharge Command
Precharge Command Period
Auto-Refresh to Active / Auto-Refresh
command period
t
RASmin
t
RPmin
t
RFCmin
ODT current per terminated input pin:
EMRS(1) State min.
A6 = 0, A2 = 1
A6 = 1, A2 = 0
typ.
6
3
max.
7.5
3.75
Unit
mA/DQ
mA/DQ
I
ODTO
5
2.5
I
ODTT
A6 = 0, A2 = 1
A6 = 1, A2 = 0
10
5
12
6
15
7.5
mA/DQ
mA/DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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