參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 75/96頁
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
75
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Note:The driver characteristics evaluation conditions are:
1. Nominal 25
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
2. Nominal Low and Nominal High 25
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.8V, any process
3. Nominal Minimum 95
o
C (
T
case
).
V
DDQ
= 1.7 V, any process
4. Nominal Maximum 0
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.9 V, any process
Note:The driver characteristics evaluation conditions are:
1. Nominal 25
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
2. Nominal Low and Nominal High 25
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.8V, any process
3. Nominal Minimum 95
o
C (
T
case
).
V
DDQ
= 1.7 V, any process
4. Nominal Maximum 0
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.9 V, any process
5.5
Input / Output Capacitance
Table 32
Voltage (V)
Full Strength Calibrated Pull-down Driver Characteristics
Calibrated Pull-down Driver Current [mA]
Nominal Minimum
(21 Ohms)
(18.75 Ohms)
Normal Low
Nominal
(18 ohms)
Normal High
(17.25 Ohms)
Nominal
Maximum
(15 Ohms)
13.3
20.0
27.0
0.2
0.3
0.4
9.5
14.3
18.7
10.7
16.0
21.0
11.5
16.6
21.6
11.8
17.4
23.0
Table 33
Voltage (V)
Full Strength Calibrated Pull-up Driver Characteristics
Calibrated Pull-up Driver Current [mA]
Nominal
Minimum
(21 Ohms)
–9.5
–10.7
–14.3
–16.0
–18.3
–21.0
Normal Low
(18.75 Ohms)
Nominal
(18 ohms)
Normal High
(17.25 Ohms)
Nominal
Maximum
(15 Ohms)
–13.3
–20.0
–27.0
0.2
0.3
0.4
–11.4
–16.5
–21.2
–11.8
–17.4
–23.0
Table 34
Symbol
CCK
CDCK
CI
CDI
CIO
Input / Output Capacitance
Parameter
Input capacitance, CK and CK
Input capacitance delta, CK and CK
Input capacitance, all other input-only pins
Input capacitance delta, all other input-only pins
Input/output capacitance,
DQ, DM, DQS, DQS, RDQS, RDQS
Input/output capacitance delta,
DQ, DM, DQS, DQS, RDQS, RDQS
min.
1.0
—
1.0
—
3.0
max.
2.0
0.25
2.0
0.25
4.0
Units
pF
pF
pF
pF
pF
CDIO
—
0.5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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