參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AC-5
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 80/96頁(yè)
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Electrical Characteristics & AC Timing - Absolute Specification
Data Sheet
80
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
7
Electrical Characteristics & AC Timing - Absolute Specification
Table 40
Symbol Parameter
Timing Parameter by Speed Grade - DDR2-400 & DDR2-533
1)2)3)4)5)6)
–5
DDR2–400 3–3–3
Min.
–600
–500
0.45
0.45
min. (
t
CL,
t
CH)
5000
5000
350
475
150
275
0.6
–3.7
DDR2–533 4–4–4
Min.
–500
–450
0.45
0.45
min. (
t
CL,
t
CH)
5000
3750
250
375
100
225
0.6
Unit Notes
Max.
+ 600
+ 500
0.55
0.55
Max.
+500
+450
0.55
0.55
t
AC
t
DQSCK
t
CH
t
CL
t
HP
t
CK
DQ output access time from CK / CK
DQS output access time from CK / CK
CK, CK high-level width
CK, CK low-level width
Clock half period
Clock cycle time
ps
ps
t
CK
t
CK
7)
8)9)
8)10)
11)
8000
8000
—
—
—
—
—
8000
8000
—
—
—
—
—
ps
ps
ps
ps
ps
ps
t
CK
t
IS
t
IH
t
DS
t
DH
t
IPW
Address and control input setup time
Address and control input hold time
DQ and DM input setup time
DQ and DM input hold time
Address and control input pulse width
(each input)
DQ and DM input pulse width (each input) 0.35
Data-out high-impedance time from CK /
CK
DQ low-impedance time from CK / CK
DQS low-impedance from CK / CK
DQS-DQ skew (for DQS & associated DQ
signals)
Data hold skew factor
Data output hold time from DQS
Write command to 1st DQS latching
transition
DQS input low (high) pulse width (write
cycle)
DQS falling edge to CK setup time (write
cycle)
DQS falling edge hold time from CK (write
cycle)
Mode register set command cycle time
Write preamble
Write postamble
Read preamble
Read postamble
Active to Precharge command
Active to Active/Auto-Refresh command
period
11)
12)
12)
t
DIPW
t
HZ
—
t
ACmax
0.35
—
—
t
ACmax
t
CK
ps
—
13)
t
LZ(DQ)
t
LZ(DQS)
t
DQSQ
2
×
t
ACmin
t
ACmin
—
t
ACmax
t
ACmax
350
2
×
t
ACmin
t
ACmin
—
t
ACmax
t
ACmax
300
ps
ps
ps
13)
13)
14)
t
QHS
t
QH
t
DQSS
—
t
HP-
t
QHS
WL
–0.25
0.35
450
—
WL
+0.25
—
—
t
HP
-
t
QHS
WL
–0.25
0.35
400
—
WL
+0.25
—
ps
t
CK
t
DQSL,H
t
CK
t
DSS
0.2
—
0.2
—
t
CK
t
DSH
0.2
—
0.2
—
t
CK
t
MRD
t
WPRE
t
WPST
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
t
RC
2
0.25
0.40
0.9
0.40
40
55
—
—
0.60
1.1
0.60
70000
—
2
0.25
0.40
0.9
0.40
45
60
—
—
0.60
1.1
0.60
70000
—
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
15)
13)
13)
16)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線(xiàn)） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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