參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 14/96頁
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Overview
Data Sheet
14
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 2
Pin Configuration P-TFBGA-60 (
×
8) Top View, see the balls throught the package
Notes
1. RDQS / RDQS are enabled by EMRS(1) command.
2. If RDQS / RDQS is enabled, the DM function is
disabled
3. When enabled, RDQS & RDQS are used as strobe
signals during reads.
4.
V
DDL
and
V
SSDL
are power and ground for the DLL.
They are isolated on thedevice from
V
DD
,
V
DDQ
,
V
SS
and
V
SSQ
.
5. Ball position G1 is Not Connected and will be used
for BA2 on 1-Gbit memory densities and higher
6. Ball position L8 is A13 for 512-Mbit and higher and
is Not Connected on 256-Mbit
MPPT0080
CS
BA0
DQ6
DQ4
V
REF
NU/
RDQS
A10/AP
A3
A7
A12
A1
A5
A9
NC
DQ3
DM/
RDQS
V
SS
1
2
3
A2
A6
A4
DQ2
DQS
7
V
SSDL
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
A0
NC
A11
8
V
DDQ
DQ7
DQ0
DQ5
9
A
B
C
D
F
G
H
J
E
L
K
V
DD
V
SSQ
V
DDQ
DQ1
V
DDQ
V
SSQ
V
DDL
V
SS
CKE
WE
CK
BA1
NC/BA2
V
SS
V
DD
CAS
DQS
V
DDQ
V
SSQ
CK
V
DD
RAS
ODT
V
DD
A8
V
SS
NC/A13
4
5
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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