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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512800AC-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| 中文描述： | 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/96頁 |
| 文件大?。?/td> | 2153K |
| 代理商： | HYB18T512800AC-5 |
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HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Overview
Data Sheet
12
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
E1, J9, M9, R1
V
DD
E7, F2, F8, H2,
H8
J7
J3,N1,P9
Not Connected
×
4/
×
8 organizations
L3,L7, G1
NC
Not Connected
×
4 organization
A2, B1, B9,
D1, D9
Not Connected
×
16 organization
A2, E2, L1, R3,
R7, R8
Other Pins
×
4/
×
8 organizations
F9
ODT
Other Pins
×
16 organization
K9
ODT
PWR
PWR
–
–
Power Supply
Power Supply
V
SSQ
V
SSDL
V
SS
PWR
PWR
–
–
Power Supply
Power Supply
NC
–
Not Connected
NC
NC
–
Not Connected
NC
NC
–
Not Connected
–
–
On-Die Termination Control
–
–
On-Die Termination Control
Table 4
Abbreviation
I
O
I/O
AI
PWR
GND
NC
Abbreviations for Pin Type
Description
Standard input-only pin. Digital levels.
Output. Digital levels.
I/O is a bidirectional input/output signal.
Input. Analog levels.
Power
Ground
Not Connected
Table 5
Abbreviation
SSTL
LV-CMOS
CMOS
OD
Abbreviations for Buffer Type
Description
Serial Stub Terminated Logic (SSTL_18)
Low Voltage CMOS
CMOS Levels
Open Drain. The corresponding pin has 2 operational states, active low and tristate, and
allows multiple devices to share as a wire-OR.
Table 3
Ball#/Pin#
Pin Configuration of DDR SDRAM
Name
Pin
Type
Buffer
Type
Function
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AC | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF-37 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB18T512800AF-5 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB25D128160CE-5 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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