參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 62/96頁
文件大小： 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Functional Description
Data Sheet
62
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 58
Precharge Power Down Mode Entry and Exit
Note:"Precharge" may be an external command or an internal precharge following Write with AP.
Figure 59
Auto-Refresh command to Power-Down entry
Figure 60
MRS, EMRS command to Power-Down entry
tXP
NOP
NOP
Precharge
T0
T2
T1
CMD
NOP
NOP
Tn
Tn+1
CKE
Precharge
Power-Down
Entry
NOP
NOP
tIS
Tn+2
tIS
Precharge
Power-Down
Exit
Valid
Command
tRP
NOP
T3
CK, CK
T0
T2
T1
T3
T4
Tn
CMD
CKE
CK, CK
Auto
Refresh
ARPD
tRFC
tis
tXP
Valid
Command
CKE can go low one clock after an Auto-Refresh command
When tRFC expires the DRAM is in Precharge Power-Down Mode
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
CMD
CKE
CK, CK
MRS or
EMRS
MRS_PD
t
MRD
Enters Precharge Power-Down Mode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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