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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512800AC-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | M39012 MIL RF CONNECTOR |
| 中文描述： | 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 64/96頁 |
| 文件大?。?/td> | 2153K |
| 代理商： | HYB18T512800AC-5 |
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HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Functional Description
Data Sheet
64
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
2.13
Asynchronous CKE Low Reset Event
In a given system, Asynchronous Reset event can
occur at any time without prior knowledge. In this
situation, memory controller is forced to drop CKE
asynchronously low, immediately interrupting any valid
operation. DRAM requires CKE to be maintained “high”
for all valid operations as defined in this data sheet. If
CKE asynchronously drops “l(fā)ow” during any valid
operation, the DRAM is not guaranteed to preserve the
contents of the memory array. If this event occurs, the
memory controller must satisfy a time delay (
t
delay
)
before turning off the clocks. Stable clocks must exist at
the input of DRAM before CKE is raised “high” again.
The DRAM must be fully re-initialized as described the
initialization sequence (section 2.2.1, step 4 thru 13).
DRAM is ready for normal operation after the
initialization sequence. See
Chapter 7
.
Figure 62
Asynchronous Low Reset Event
CKE
CKE drops low due to an
asynchronous reset event
Clocks can be turned off after
this point
tdelay
CK, CK
stable clocks
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512800AC | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF | DDR2 Registered Memory Modules |
| HYB18T512800AF-37 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB18T512800AF-5 | 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM |
| HYB25D128160CE-5 | 128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HYB18T512800BF-3.7 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB18T512800BF-3S | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| HYB25D128160AT-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM |
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