參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 41/96頁
文件大小： 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
Posted CAS
WRITE A
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Functional Description
Data Sheet
41
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 25
Read Operation Example 2: RL = 3 (AL = 0, CL = 3, BL = 8)
Figure 26
Read followed by Write Example: RL = 5, WL = (RL-1) = 4, BL = 4
The minimum time from the read command to the write command is defined by a read-to-write turn-around time,
which is BL/2 + 2 clocks.
CM
D
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ'
s
NOP
READ A
T
0
T
2
T
1
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 3
CL = 3
NOP
<= tDQSCK
BRead303
DQS,
DQS
Dout A4
Dout A5
Dout A6
Dout A7
CK, CK
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ A
Posted CAS
T
0
T
1
Dout A0
Dout A1
Dout A2
Dout A3
RL = 5
NOP
CMD
DQ
BRBW514
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
8
T
9
Din A0
Din A1
Din A2
Din A3
DQS,
DQS
WL = RL - 1 = 4
BL/2 + 2
CK, CK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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