參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 70/96頁
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
70
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 64
Differential DC and AC Input and Output Logic Levels Diagram
Table 26
Symbol
V
IN(dc)
V
ID(dc)
V
ID(ac
)
V
IX(ac)
Differential DC and AC Input and Output Logic Levels
Parameter
DC input signal voltage
DC differential input voltage
AC differential input voltage
AC differential cross point input
voltage
AC differential cross point output
voltage
Min.
–0.3
0.25
0.5
0.5
×
V
DDQ
– 0.175
Max.
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
V
DDQ
+ 0.6
0.5
×
V
DDQ
+ 0.175
Units
Notes
1)
1)
V
IN(dc)
specifies the allowable DC execution of each input of differential pair such as CK, CK, DQS, DQS etc.
2)
V
ID(dc)
specifies the input differential voltage
V
TR
–
V
CP
required for switching. The minimum value is equal to
V
IH(dc)
–
V
IL(dc)
.
3)
V
ID(ac)
specifies the input differential voltage
V
TR
–
V
CP
required for switching. The minimum value is equal to
V
IH(ac)
–
V
IL(ac)
.
4) The value of
V
IX(ac)
is expected to equal 0.5
×
V
DDQ
of the transmitting device and
V
IX(ac)
is expected to track variations in
V
DDQ
.
V
IX(ac)
indicates the voltage at which differential input signals must cross.
5) The value of
V
OX(ac)
is expected to equal 0.5
×
V
DDQ
of the transmitting device and
V
OX(ac)
is expected to track variations in
V
DDQ
.
V
OX(ac)
indicates the voltage at which differential input signals must cross.
2)
V
V
3)
4)
V
OX(ac)
0.5
×
V
DDQ
– 0.125
0.5
×
V
DDQ
+ 0.125
V
5)
Crossing Point
VDDQ
VSSQ
VID
VIX or VOX
VTR
VCP
SSTL18_3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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