參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 72/96頁(yè)
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
72
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
5.4
Default Output V-I Characteristics
DDR2 SDRAM output driver characteristics are defined
for full strength default operation as selected by the
EMRS(1) bits A[9:7] =’111’.
Figure 65
and
Figure 66
show the driver characteristics graphically and the
tables show the same data suitable for input into
simulation tools.
Note:The driver characteristics evaluation conditions are:
1. Nominal Default 25
o
C (Tcase), VDDQ = 1.8 V, typical process
2. Minimum 95
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.7V, slow–slow process
3. Maximum 0
o
C (
T
case)
.
V
DDQ
= 1.9 V, fast–fast process
7) Timing skew due to DRAM output slew rate mis-match between DQS / DQS and associated DQ’s is included
in
t
DQSQ
and
t
QHS
specification.
8) DRAM output slew rate specification applies to 400, 533 and 667 MT/s speed bins.
Table 30
Voltage (V)
Full Strength Default Pull-up Driver Characteristics
Pull-up Driver Current [mA]
Min.
–8.5
–12.1
–14.7
–16.4
–17.8
–18.6
–19.0
–19.3
–19.7
–19.9
–20.0
–20.1
–20.2
–20.3
–20.4
–20.6
—
—
Nominal Default low
–11.1
–16.0
–20.3
–24.0
–27.2
–29.8
–31.9
–33.4
–34.6
–35.5
–36.2
–36.8
–37.2
–37.7
–38.0
–38.4
–38.6
—
Nominal Default high
–11.8
–17.0
–22.2
–27.5
–32.4
–36.9
–40.8
–44.5
–47.7
–50.4
–52.5
–54.2
–55.9
–57.1
–58.4
–59.6
–60.8
—
Max.
–15.9
–23.8
–31.8
–39.7
–47.7
–55.0
–62.3
–69.4
–75.3
–80.5
–84.6
–87.7
–90.8
–92.9
–94.9
–97.0
–99.1
–101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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