參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AC-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 9/96頁
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-5
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Overview
Data Sheet
9
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
1.4
Pin Configuration
The pin configuration of a DDR2 SDRAM is listed by function in
Table 3
. The abbreviations used in the Pin#/Buffer
Type columns are explained in
Table 4
and
Table 5
respectively. The pin numbering for the FBGA package is
depicted in
Figure 1
for
×
4,
Figure 2
for
×
8 and
Figure 3
for
×
16
.
Table 3
Ball#/Pin#
Pin Configuration of DDR SDRAM
Name
Pin
Type
Clock Signals
×
4/
×
8 organizations
E8
CK
F8
CK
F2
CKE
Clock Signals
×
16 organization
J8
CK
K8
CK
K2
CKE
Control Signals
×
4/
×
8 organizations
F7
RAS
G7
CAS
F3
WE
G8
CS
Control Signals
×
16 organization
K7
RAS
L7
CAS
K3
WE
L8
CS
Address Signals
×
4/
×
8 organizations
G2
BA0
G3
BA1
H8
A0
H3
A1
H7
A2
J2
A3
J8
A4
J3
A5
J7
A6
K2
A7
K8
A8
K3
A9
H2
A10
AP
K7
A11
L2
A12
L8
A13
Buffer
Type
Function
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
Clock Signal
Complementary Clock Signal
Clock Enable Rank
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
Clock Signal
Complementary Clock Signal
Clock Enable Rank
I
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Chip Select
I
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
Row Address Strobe
Column Address Strobe
Write Enable
Chip Select
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
Bank Address Bus 1:0
Address Signal 12:0
Address Signal 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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