- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370785 > HYB25L512160AC (INFINEON TECHNOLOGIES AG) 512MBit Mobile-RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB25L512160AC |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512MBit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 512兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 48/50頁 |
| 文件大小： | 1335K |
| 代理商： | HYB25L512160AC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當前第48頁第49頁第50頁
HYB25L512160AC–7.5
512MBit Mobile-RAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
48
Rev. 1.3, 2004-04
10212003-BSPE-77OL
4.5
Operating Currents
Table 21
Parameter & Test Conditions
Maximum Operating Currents
1)
1) 0
°
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.);
V
DD
= 2.3V .. 3.6V;
V
DDQ
= 1.8 V ± 0.15 V; or 2.3V .. 3.6V; Recommended Operating Conditions
unless otherwise noted
2) These values are measured with
t
CK
= 7.5 ns for - 7.5 parts.
3) All parameters measured with no output loads.
Symbol
Values
- 7.5
85
Unit
Notes
Operating Current:
one bank: active / read / precharge,
t
RC
=
t
RCmin
Precharge Standby Current in Power-Down Mode:
all banks idle, CS
≥
V
IHmin
, CKE
≤
V
ILmax
Precharge Standby Current in Non-Power Down Mode:
all banks idle, CS
≥
V
IHmin
, CKE
≥
V
IHmin
,
inputs changing once per clock cycle
Active Standby Current in Power Down Mode:
one bank active, CS
≥
V
IHmin
, CKE
≤
V
ILmax
,
inputs changing once per clock cycle
Active Standby Current in Non-Power Down Mode:
one bank active, CS
≥
V
IHmin
, CKE
≥
V
IHmin
,
inputs changing once per clock cycle
Operating Current for Burst Mode:
all banks active; continuous burst read,
inputs changing once per 2 clock cycles
Auto-Refresh Current:
t
RC
=
t
RCmin
, “burst refresh”
Deep Power Down Mode current
I
CC1
mA
2)3)
I
CC2P
1.2
mA
2)
I
CC2N
40
mA
2)
I
CC3P
7
mA
2)
I
CC3N
50
mA
2)
I
CC4
100
mA
2)3)
I
CC5
175
mA
2)
I
CC7
10
μ
A
–
Table 22
Parameter & Test Conditions
Self Refresh Currents
1)
1)
0
°
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.)
;
V
DD
= 2.3V .. 3.6V;
V
DDQ
= 1.8 V
±
0.15 V; or 2.3V .. 3.6V;
2) Target values, to be verified on final product.
Max.
Temperature
Symbol
Values
max.
1600
1100
900
750
1150
900
800
700
900
800
750
675
Units Notes
Self Refresh Current:
Self refresh mode, CKE = 0.2 V, clock off,
full array activation (PASR = 000)
85
°
C
70
°
C
45
°
C
15
°
C
85
°
C
70
°
C
45
°
C
15
°
C
85
°
C
70
°
C
45
°
C
15
°
C
I
CC6
μ
A
2)
Self refresh mode, CKE = 0.2 V, clock off,
half array activation (PASR = 001)
I
CC6
μ
A
2)
Self Refresh Current:
Self refresh mode, CKE = 0.2 V, clock off,
quarter array activation (PASR = 010)
I
CC6
μ
A
2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25M128160C | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
| HYB25R128160C | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| HYB 25M144180C | 144-MBit Direct RDRAM(144 M位直接RDRAM) |
| HYB25R144180C | 144-Mbit direct RDRAM(144 Mbit 直接 RDRAM) |
| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HYB3116160BSJ | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-50 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BSJ-70 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。