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參數資料
| 型號： | HYB25L512160AC |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512MBit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 512兆移動RAM |
| 文件頁數： | 22/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1335K |
| 代理商： | HYB25L512160AC |
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HYB25L512160AC–7.5
512MBit Mobile-RAM
Functional Description
Data Sheet
22
Rev. 1.3, 2004-04
10212003-BSPE-77OL
3.4.5
READ
Figure 14
READ Command
Subsequent to programming the mode register with
CAS latency and burst length, READ bursts are
initiated with a READ command, as shown in
Figure 14
. Basic timings for the DQs are shown in
figure
Figure 15
; they apply to all read operations and
therefore are omitted from all subsequent timing
diagrams.
In order to prevent bus contention on the DQs,
care must be taken that a READ issued to one
chip does not interfere with a READ or WRITE
being in progress in the other chip of this stacked
configuration.
Figure 15
Basic READ Timing Parameters for DQs
BA0,BA1
BA
WE
CKE
(High)
CLK
RAS
CAS
A0-A8
CA
= Don't Care
BA = Bank Address
CA = Column Address
AP = Auto Precharge
A10
AP
Disable AP
Enable AP
CS
t
LZ
t
AC
t
AC
t
HZ
CLK
= Don't Care
t
DQZ
t
OH
t
OH
DQM
DQ
DO n+1
DO n
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PDF描述 |
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參數描述 |
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