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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25L512160AC |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512MBit Mobile-RAM |
| 中文描述： | 512兆移動RAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1335K |
| 代理商： | HYB25L512160AC |
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HYB25L512160AC–7.5
512MBit Mobile-RAM
Functional Description
Data Sheet
30
Rev. 1.3, 2004-04
10212003-BSPE-77OL
Figure 28
WRITE Burst (CAS Latency = 2)
Table 11
Parameter
Timing Parameters for WRITE
Symbol
–7.5
Unit
Notes
min.
1.5
0.8
0
67
19
45
14
19
max.
—
—
—
—
—
100k
—
—
DQ and DQM input setup time
DQ and DQM input hold time
DQM write mask latency
ACTIVE to ACTIVE command period
ACTIVE to READ or WRITE delay
ACTIVE to PRECHARGE command period
WRITE recovery time
PRECHARGE command period
t
IS
t
IH
t
DQW
t
RC
t
RCD
t
RAS
t
WR
t
RP
ns
ns
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
—
1)
1) These parameters account for the number of clock cycles and depend on the operating frequency as follows:
no. of clock cycles = specified delay / clock period; round up to next integer.
1)
1)
1)
1)
Ba A, Col n = bank A, column n
DI n = Data In to column n
Burst Length = 4 in the case shown.
3 subsequent elements of Data In are provided in the programmed order following DI n.
= Don't Care
CLK
t
RCD
t
RAS
t
RC
t
RP
t
WR
Command
NOP
WRITE
NOP
NOP
NOP
PRE
NOP
ACT
ACT
NOP
Address
Ba A,
Row x
Ba A,
Col n
Ba A,
Row b
Row x
Row b
Dis
AP
AP
Pre Bank A
Pre All
A10 (AP)
DQ
DI n
DI n+2
DI n+3
DI n+1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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