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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC68F375BGMZP33 |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 329/616頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MPU 32BIT 33MHZ 217-PBGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 60 |
| 系列： | M683xx |
| 處理器類型： | M683xx 32-位 |
| 速度： | 33MHz |
| 電壓： | 5V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 217-BBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 217-PBGA（23x23） |
| 包裝： | 托盤 |
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MC68F375
CDR MoneT FLASH FOR THE IMB3 (CMFI)
MOTOROLA
REFERENCE MANUAL
Rev. 25 June 03
10-25
cause the BIU to generate either a bus error or return all zeros. Write accesses to
reserved registers shall have no effect. See section 10.4.1 CMFI EEPROM Module
Control Block Addressing for more information on register accesses.
10.6.5 Array Read Operation
The CMFI EEPROM array is available for read operation under most conditions while
the device is powered up. Reads of the array are not allowed during master reset, sys-
tem reset, and ACCESS = 0 while high voltage is applied to the array or while the CMFI
EEPROM is stopped, see section 10.6.8 Stop Operation for more information on
stopping the CMFI EEPROM. At certain points, as defined in the program or erase
sequence, reading the array shall result in a margin read. These margin reads return
the status of the program or erase operation and not the data in the array.
After reset, programming writes, erase interlock write, setting EHV, clearing SES or
setting/clearing SIE (this affects the lower array blocks burst buffer only) the burst buff-
ers will not contain valid information and the correct information will be fetched from
the array.
Section 10.5.1 Read Burst Buffers defines how the two burst buffers in the CMFI
EEPROM are associated to array blocks. During burst read operation, the initial read
will require at least 2 clocks depending on the state of WAIT[1:0]. Subsequent burst
reads will take 1 clock until the end of the burst buffer is reached or the burst is termi-
nated by the IMB3.
10.6.6 Programming
To modify the charge stored in the isolated element of the CMFI bit from a logic 1 state
to a logic 0 state, a programming operation is required. This programming operation
shall apply the required voltages to change the charge state of the selected bits with-
out changing the logic state of any other bits in the CMFI array. The program operation
cannot change the logic 0 state to a logic 1 state; this transition must be done by the
erase operation. Programming uses a set of up to 8 program buffers of 64 bytes each
to store the required data, an address offset buffer to store the starting address of the
block(s) to be programmed and a block select buffer that stores information on which
block(s) are to be programmed. Any number of the array blocks may be programmed
at one time.
Do not program any page more than once after a successful erase operation. While
this will not physically damage the array it shall cause an increased partial disturb time
for the unselected bits on the row and columns that are not programmed.
A full erase of all blocks being programmed must be done before the CMFI EEPROM
can be used reliably if over programming occurs.
F
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I
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
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