- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382773 > ZPSD813F1V Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲器，256K位EEPROM，16K位SRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | ZPSD813F1V |
| 英文描述： | Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲器，256K位EEPROM，16K位SRAM) |
| 中文描述： | Flash在系統(tǒng)可編程Mirocomputer外設(shè)（閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，100萬位閃速存儲器，256K位的EEPROM，16K的位的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 88/130頁 |
| 文件大?。?/td> | 650K |
| 代理商： | ZPSD813F1V |
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PSD813F Family
Preliminary
84
NOTES:
1. CSI deselected or internal Power Down mode is active.
2. PLD is in non-turbo mode and none of the inputs are switching.
3. Refer to Figure 34 for PLD current calculation.
4. I
OUT
= 0 mA
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ZPLD_TURBO = OFF,
f = 0 MHz (Note 4)
0
mA
ZPLD Only
ZPLD_TURBO = ON,
f = 0 MHz
400
700
μA/PT
I
CC
(DC)
(Note 4)
Operating
Supply Current
During Flash or EEPROM
Write/Erase Only
Flash or EEPROM
30
60
mA
Read Only, f = 0 MHz
0
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
0
mA
I
CC
(AC)
(Note 4)
ZPLD AC Adder
Figure 34
FLASH or EEPROM AC Adder
2.5
3.5
mA/MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/MHz
I
SB
Standby Supply Current for
Power Down Mode
CSI > V
CC
–0.3 V
(Notes 1 and 2)
50
200
μA
ZPSD813F DC Characteristics (I
CC
)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
PLD Only
f = 0 MHz
400
700
μA/PT
I
CC
(DC)
(Note 4)
Operating
Supply Current
During Flash or EEPROM
Write/Erase Only
30
60
mA
Flash or EEPROM
Read Only, f = 0 MHz
0
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
0
mA
PLD AC Adder
2
3
mA/MHz
I
CC
(AC)
(Note 4)
Flash or EEPROM AC Adder
2.5
3.5
mA/MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/MHz
I
SB
Standby Supply Current for
Power Down Mode
CSI > V
CC
–0.3 V
(Note 1)
200 μA + PLD Current
(Note 3)
μA
PSD813F DC Characteristics (I
CC
)
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