- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382773 > ZPSD813F1V Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲(chǔ)器，256K位EEPROM，16K位SRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZPSD813F1V |
| 英文描述： | Flash In System Programmable Mirocomputer Peripherals(閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，1M位閃速存儲(chǔ)器，256K位EEPROM，16K位SRAM) |
| 中文描述： | Flash在系統(tǒng)可編程Mirocomputer外設(shè)（閃速，在系統(tǒng)可編程微控制器外圍器件，100萬位閃速存儲(chǔ)器，256K位的EEPROM，16K的位的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 87/130頁 |
| 文件大?。?/td> | 650K |
| 代理商： | ZPSD813F1V |
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Preliminary
PSD813F Family
83
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
CC
V
IH
V
IL
V
IH1
V
IL1
V
HYS
V
LKO
Supply Voltage
All Speeds
4.5
5
5.5
V
High Level Input Voltage
4.5 V < V
CC
< 5.5 V
4.5 V < V
CC
< 5.5 V
(Note 1)
2
V
CC
+.5
0.8
V
Low Level Input Voltage
–.5
V
Reset High Level Input Voltage
.8 V
CC
–.5
V
CC
+.5
.2 V
CC
–.1
V
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
V
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
V
CC
Min for Flash Erase and Program
2.5
4.2
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 20 μA, V
CC
= 4.5 V
0.01
0.1
V
I
OL
= 8 mA, V
CC
= 4.5 V
I
OH
= –20 μA, V
CC
= 4.5 V
0.25
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Except V
STBY
On
4.4
4.49
V
I
OH
= –2 mA, V
CC
= 4.5 V
I
OH1
= 1 μA
2.4
3.9
V
V
OH1
V
SBY
I
SBY
I
IDLE
V
DF
I
LI
I
LO
Output High Voltage V
STBY
On
SRAM Standby Voltage
V
SBY
– 0.8
2.0
V
V
CC
1
V
SRAM Standby Current
V
CC
= 0 V
V
CC
> V
SBY
Only on V
STBY
V
SS
< V
IN
< V
CC
0.45 < V
IN
> V
CC
0.5
μA
Idle Current (V
STBY
Pin)
SRAM Data Retention Voltage
–0.1
0.1
μA
2
V
Input Leakage Current
–1
±.1
1
μA
Output Leakage Current
–10
±5
10
μA
PSD813F/ZPSD813F DC Characteristics
(5 V ± 10% Versions)
NOTES:
1.
Reset input has hysteresis. V
IL1
is valid at or below .2V
CC
–.1. V
IH1
is valid at or above .8V
CC
.
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