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參數(shù)資料
| 型號： | W948D6FBHX6G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 42/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1147K |
| 代理商： | W948D6FBHX6G |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date : May, 24, 2011
- 47 -
Revision A01-003
8.3 Electrical Characteristics and AC/DC Operating Conditions
All values are recommended operating conditions unless otherwise noted.
8.3.1 Electrical Characteristics and AC/DC Operating Conditions
PARAMETER/CONDITION
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Supply Voltage
VDD
1.70
1.95
V
I/O Supply Voltage
VDDQ
1.70
1.95
V
ADDRESS AND COMMAND INPUTS (A0~An, BA0,BA1,CKE,
CS , RAS , CAS , WE )
Input High Voltage
VIH
0.8*VDDQ
VDDQ + 0.3
V
Input Low Voltage
VIL
0.3
0.2*VDDQ
V
CLOCK INPUTS (CK,
CK )
DC Input Voltage
VIN
0.3
VDDQ + 0.3
V
DC Input Differential Voltage
VID (DC)
0.4*VDDQ
VDDQ + 0.6
V
2
AC Input Differential Voltage
VID (AC)
0.6*VDDQ
VDDQ + 0.6
V
2
AC Differential Crossing Voltage
VIX
0.4*VDDQ
0.6*VDDQ
V
3
DATA INPUTS (DQ, DM, DQS)
DC Input High Voltage
VIHD (DC)
0.7*VDDQ
VDDQ + 0.3
V
DC Input Low Voltage
VILD (DC)
0.3
0.3*VDDQ
V
AC Input High Voltage
VIHD (AC)
0.8*VDDQ
VDDQ + 0.3
V
AC Input Low Voltage
VILD (AC)
0.3
0.2*VDDQ
V
DATA OUTPUTS (DQ, DQS)
DC Output High Voltage (IOH=0.1mA)
VOH
0.9*VDDQ
-
V
DC Output Low Voltage (IOL=0.1mA)
VOL
-
0.1*VDDQ
V
Leakage Current
Input Leakage Current
IiL
-1
1
uA
Output Leakage Current
IoL
-5
5
uA
Notes:
1. All voltages referenced to VSS and VSSQ must be same potential.
2. VID (DC) and VID (AC) are the magnitude of the difference between the input level on CK and
CK .
3. The value of VIX is expected to be 0.5*VDDQ and must track variations in the DC level of the same.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K32-120HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHIP66 |
| WF128K32-90HM5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CHIP66 |
| WS128K32-35CJM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQCC68 |
| WS512K32F-100G2Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, QMA68 |
| WMS128K8L-100DJIE | 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO36 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W949D2CB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR |
| W949D2CBJX5E | 功能描述:IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
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