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參數(shù)資料
| 型號： | W948D6FBHX6G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 41/60頁 |
| 文件大?。?/td> | 1147K |
| 代理商： | W948D6FBHX6G |
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W948D6FB / W948D2FB
256Mb Mobile LPDDR
Publication Release Date : May, 24, 2011
- 46 -
Revision A01-003
8. ELECTRICAL CHARACTERISTIC
8.1 Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
SYMBOL
VALUES
UNITS
MIN
MAX
Voltage on VDD relative to VSS
VDD
0.3
2.7
V
Voltage on VDDQ relative to VSS
VDDQ
0.3
2.7
V
Voltage on any pin relative to VSS
VIN, VOUT
0.3
2.7
V
Operating Case temperature :
Tc
-25
-40
85
°C
Storage Temperature
TSTG
55
150
°C
Short Circuit Output Current
IOUT
±50
mA
Power Dissipation
PD
1.0
W
8.2 Input/Output Capacitance
[Notes 1-3]
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input capacitance, CK,
CK
CCK
1.5
3.0
pF
Input capacitance delta, CK,
CK
CDCK
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.5
3.0
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
0.5
pF
Input/ output capacitance, DQ,DM,DQS
CIO
3.0
5.0
pF
4
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS
CDIO
0.50
pF
4
Notes:
1.
These values are guaranteed by design and are tested on a sample base only.
2.
These capacitance values are for single monolithic devices only. Multiple die packages will have parallel capacitive loads.
3.
Although DM is an input-only pin, the input capacitance of this pin must model the input capacitance of the DQ and DQS pins. This is
required to match signal propagation times of DQ, DQS and DM in the system.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF128K32-120HC5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHIP66 |
| WF128K32-90HM5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CHIP66 |
| WS128K32-35CJM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQCC68 |
| WS512K32F-100G2Q | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, QMA68 |
| WMS128K8L-100DJIE | 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO36 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W949D2CB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPDDR |
| W949D2CBJX5E | 功能描述:IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
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