參數(shù)資料
型號(hào)： K4N56163QF-GC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 70/73頁(yè)
文件大?。?/td> 1262K
代理商： K4N56163QF-GC
- 70 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Table 1.
Full Strength Default Pulldown Driver Characteristics
Figure 1.
gDDR2 Default Pulldown Characteristics for Full Strength Driver
Pulldown Current (mA)
Voltage (V)
Minimum (23.4 Ohms)Low (18 ohms)
Nominal Default
High (18 ohms)
Maximum (12.6 Ohms)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
8.5
12.1
14.7
16.4
17.8
18.6
19.0
19.3
19.7
19.9
20.0
20.1
20.2
20.3
20.4
20.6
11.3
16.5
21.2
25.0
28.3
30.9
33.0
34.5
35.5
36.1
36.6
36.9
37.1
37.4
37.6
37.7
37.9
11.8
16.8
22.1
27.6
32.4
36.9
40.9
44.6
47.7
50.4
52.6
54.2
55.9
57.1
58.4
59.6
60.9
15.9
23.8
31.8
39.7
47.7
55.0
62.3
69.4
75.3
80.5
84.6
87.7
90.8
92.9
94.9
97.0
99.1
101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
VOUT to VSSQ (V)
0
20
40
60
80
100
120
P
Maximum
Nominal
Default
High
Nominal
Default
Low
Minimum
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N56163QF-GC25 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
K4R271669A 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N56163QF-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QG-ZC2A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4P24V3 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM
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