參數(shù)資料
型號： K4N56163QF-GC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 54/73頁
文件大小： 1262K
代理商： K4N56163QF-GC
- 54 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Example 1: Burst Read Operation with Auto Precharge:
RL = 4, AL = 1, CL = 3, BL = 8, t
RTP
<= 2 clocks
T0
T1
Example 2: Burst Read Operation with Auto Precharge:
RL = 4, AL = 1, CL = 3, BL = 4, t
RTP
> 2 clocks
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
RL =4
DQS
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
AL + BL/2 clks
AL = 1
CL = 3
> = t
RTP
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
DOUT A
8
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
NOP
t
RTP
NOP
Precharge begins here
Activate
Bank A
> = t
RP
Autoprecharge
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Autoprecharge
Post CAS
RL =4
DQS
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T 8
> = AL + tRTP + tRP
AL = 1
CL = 3
4-bit prefetch
NOP
t
RTP
NOP
Precharge begins here
Activate
Bank A
t
RP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N56163QF-GC25 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
K4R271669A 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N56163QF-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QG-ZC2A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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