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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 62/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC |
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- 62 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Ty
T1
Tm
Tm+2
Ty+1
Ty+2
Ty+3
WR
WR
BL=8
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
CMD
CKE
DQ
DQS
DQS
T0
Tm+1
Tm+3
Tx
Tx+1
Tx+2
Tx+3
T1
Tm
Tm+2
Tx+4
Tx+5
Tx+6
WRA
WRA
BL=8
PRE
PRE
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
tWTR
tWTR
WR*1
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
WR
*1
Write to power down entry
Write with Autoprecharge to power down entry
CK
CK
CK
CK
WL
BL=4
BL=4
WL
WL
WL
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
CK
CK
* 1: WR is programmed through MRS
T0
Tm+1
Tm+3
Tm+4
Tm+5
Tx
Tx+1
T1
Tm
Tm+2
Tx+2
Tx+3
Tx+4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
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