參數(shù)資料
型號(hào)： K4N56163QF-GC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 47/73頁
文件大?。?/td> 1262K
代理商： K4N56163QF-GC
- 47 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Write data mask
One write data mask (DM) pin for each 8 data bits (DQ) will be supported on gDDR2 SDRAMs, Consistent with the imple-
mentation on gDDR SDRAMs. It has identical timings on write operations as the data bits, and though used in a uni-direc-
tional manner, is internally loaded identically to data bits to insure matched system timing. DM of x16 bit organization is
not used during read cycles.
Data Mask Timing
DQS/
DQS
DQ
DM
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
Write
CK
CK
COMMAND
DQS/DQS
DQ
DM
Case 2 : max t
DQSS
DQS/DQS
DQ
DM
t
DQSS
t
DQSS
t
WR
Data Mask Function, WL=3, AL=0, BL = 4 shown
Case 1 : min t
DQSS
V
IL
(ac)
V
IH
(ac)
V
IL
(dc)
V
IH
(dc)
V
IL
(ac)
V
IL
(dc)
V
IH
(ac)
V
IH
(dc)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N56163QF-GC25 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
K4R271669A 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N56163QF-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QG-ZC2A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4P24V3 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM
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