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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 12/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC |
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- 12 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Input/Output capacitance
Electrical Characteristics & AC Timing for - 35/30/37
(0
°
C < T
CASE
< 95
°
C; V
DDQ
= 1.8V + 0.1V; V
DD
= 1.8V + 0.1V)
Refresh Parameters by Device Density
Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS
Parameter
Symbol
- 37
- 30
- 25
Min
Max
Min
Max
Units
Input capacitance, CK and CK
CCK
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, CK and CK
CDCK
x
0.25
x
0.25
pF
Input capacitance, all other input-only pins
CI
1.0
2.0
1.0
2.0
pF
Input capacitance delta, all other input-only pins
CDI
x
0.25
x
0.25
pF
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS
CIO
2.5
4.0
2.5
3.5
pF
Input/output capacitance delta, DQ, DM, DQS, DQS
CDIO
x
0.5
x
0.5
pF
Parameter
Symbol
256Mb
Units
Refresh to active/Refresh command time
tRFC
75
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°
C
≤
T
CASE
≤
85
°
C
7.8
μ
s
85
°
C
<
T
CASE
≤
95
°
C
3.9
μ
s
SPEED
- 25
- 30
- 37
Units
Bin (CL-tRCD-tRP)
6-6-6
5-5-5
4-5-5
Parameter
min
min
min
CAS LATENCY
6
5
4
tCK
tCK
2.5
3.0
3.75
ns
tRCD
6
5
5
tCK
tRP
6
5
5
tCK
tRC
22
18
16
tCK
tRAS
16
13
11
tCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
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