- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373065 > K4N56163QF-GC (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256Mbit gDDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 34/73頁 |
| 文件大小： | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁當(dāng)前第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁
- 34 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
ODT timing mode switch at exiting power down mode
T0
T1
T4
T5
T6
T7
CK
CK
T8
CKE
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOFPDmax
RTT
tIS
tIS
RTT
T9
T10
T11
ODT
Internal
Term Res.
tAXPD
Active & Standby
mode timings to
be applied.
Power Down
mode timings to
be applied.
Exiting from Slow Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode.
tAOFD
Internal
Term Res.
tIS
RTT
ODT
Active & Standby
mode timings to
be applied.
tAOND
Internal
Term Res.
RTT
ODT
tAONPDmax
tIS
Power Down
mode timings to
be applied.
V
IH
(AC)
V
IL
(AC)
V
IL
(AC)
V
IH
(AC)
V
IH
(AC)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。