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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 21/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC |
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Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Self
Idle
Setting
MRS
EMRS
Bank
Active
Precharging
Down
with
ACT
RDA
Read
SRF
REF
CKEL
MRS
CKEH
CKEH
CKEL
Write
Automatic Sequence
Command Sequence
RDA
WRA
Read
PR, PRA
PR
Refreshing
Refreshing
Active
Down
RDA
Rwith
Autoprecharge
WRA
PPower
Reading
Writing
PR(A) = Precharge (All)
MRS = (Extended) Mode Register Set
SRF = Enter Self Refresh
REF = Refresh
CKEL = CKE low, enter Power Down
CKEH = CKE high, exit Power Down, exit Self Refresh
ACT = Activate
WR(A) = Write (with Autoprecharge)
RD(A) = Read (with Autoprecharge)
Note: Use caution with this diagram. It is indented to provide a floorplan of the possible state transitions
and the commands to control them, not all details. In particular situations involving more than one bank,
enabling/disabling on-die termination, Power Down entry/exit - among other things - are not captured
in full detail.
Simplified State Diagram
Functional Description
All banks
precharged
Activating
CKEH
Read
Write
CKEL
CKEL
Sequence
Initialization
OCD
calibration
CKEL
CKEL
CKEL
Autoprecharge
PR, PRA
PR, PRA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
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