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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 66/73頁 |
| 文件大小： | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC |
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Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
No Operation Command
The No Operation Command should be used in cases when the gDDR2 SDRAM is in an idle or a wait state. The purpose
of the No Operation Command (NOP) is to prevent the gDDR2 SDRAM from registering any unwanted commands
between operations. A No Operation Command is registered when CS is low with RAS, CAS, and WE held high at the ris-
ing edge of the clock. A No Operation Command will not terminate a previous operation that is still executing, such as a
burst read or write cycle.
Deselect Command
The Deselect Command performs the same function as a No Operation Command. Deselect Command occurs when CS is
brought high at the rising edge of the clock, the RAS, CAS, and WE signals become don’t cares.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
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