參數(shù)資料
型號： NAND01GW3B2CN1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 60/65頁
文件大小： 1473K
代理商： NAND01GW3B2CN1E
NAND01G-B2C
Ordering information
63/65
13
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Table 28.
Ordering information scheme
Example:
NAND01GW3B2C ZA
6
E
Device type
NAND flash memory
Density
01G = 1 Gbit
Operating voltage
R = VDD = 1.7 to 1.95 V
W = VDD = 2.7 to 3.6 V
Bus width
3 = x8
4 = x16(1)
1.
x16 organization only available for MCP products.
Family identifier
B = 2112-byte/ 1056-word page
Device options
2 = chip enable don't care enabled
Product version
B = second version
C = third version
Package
N = TSOP48 12 x 20 mm
ZA = VFBGA63 9 x 11 x 1.05 mm, 0.8 mm pitch
Temperature range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
E = RoHS compliant package, standard packing
F = RoHS compliant package, tape & reel packing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NAND512W3B3CV1 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GR4B3AV1F 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND01GW3B2CN6 制造商:STMicroelectronics 功能描述:128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND01GW3B2CN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
NAND01GW3B2CN6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GW3B2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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